Archwilio Cyfeiriadau Newydd Ar gyfer Is-haenau Ffilm Diemwnt

Y ffordd orau o dyfu diemwnt crisial sengl o ansawdd uchel gan ddefnyddio technoleg dyddodiad anwedd cemegol plasma microdon yw defnyddio twf homoepitaxial. Fodd bynnag, un-grisialdiemwntmae swbstradau yn ddrud, ac mae'r rhan fwyaf o'r diemwntau a baratoir gan ddefnyddio swbstradau eraill yn ddiamwntau polygrisialog, sy'n anhawster mawr wrth dyfu o ansawdd ucheldiemwntau. Mae dewis swbstradau yn gofyn am ystyriaeth gynhwysfawr o baramedrau lluosog megis paru dellt, thermol, optegol, a sefydlogrwydd. Mae diemwntau wedi'u paratoi ar swbstradau fel Si, Cu, Ti, Ir, SrTiO3, a KTaO3. Yn aml mae gan ddiamwntau a baratowyd ar wahanol swbstradau eu priodweddau unigryw eu hunain. Mae rhai ysgolheigion wedi cynnig defnyddio crisialau potasiwm tantalate niobate (KTa1-xNbxO3, wedi'u talfyrru fel KTN) fel swbstradau ar gyfertyfu diemwntau.Tyfu ffilmiau diemwntar swbstradau o'r fath disgwylir iddo ddod yn gyfeiriad newydd ar gyfer archwilio swbstradau ffilm diemwnt.